(株)日立製作所は2日、携帯電話やPDAなどの携帯機器向けに、メモリー管理機能を内蔵したAND型のフラッシュメモリー“superAND(スーパーアンド)型フラッシュメモリ”を製品化したと発表した。第1弾として、128Mbit(16MB)の『HN29V128A(3.3V品)』と『HN29A128A(1.8V品)』のシリーズとして4製品のサンプル出荷を6月に開始する。価格は10万個時の単価で940円から。
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| “128MビットsuperAND型フラッシュメモリ”、左から『HN29A128A』(CSP品)、『HN29A128A』(TSOP-I品)、『HN29V128A』(TSOP-I品) |
新開発の“128MビットsuperANDフラッシュメモリ”は、稼動中にセクターに異常が生じた場合に不良を検知し、自動的に予備セクターと置きかえる“不良セクタ管理機能”のほか、書き換えの回数が一定の数値を超えると、自動的に書き換え回数の少ない領域とデータとアドレスを入れ換える“ウェアレベリング機能(フラッシュ寿命延命処理)”を内蔵したのが特徴。
『HN29V128A(3.3V品)』は、×8bit構成(×8bit×2048B×8192sector)あるいは×16bit構成(×16bit×1024B×8192sector)で、アクセス速度は、ファーストリードが80μsで、連続読み出しが50ns。書き込み速度は2048Bで2.2ms。転送レートは×8bitでは10.7MB/s、×16bitでは14.9MB/s。動作電圧は2.5～3.6V。動作電流はリード時10mA、ライト時15mA。スタンバイ電流は50μA(ディープスタンバイでは5μA)。
『HN29A128A(1.8V品)』は、×16bit構成(×16bit×1024B×8192sector)で、アクセス速度は、ファーストリードが120μsで、連続読み出しが80ns。書き込み速度は2048Bで3.3ms。転送レートは9.7MB/s。動作電圧は1.65～1.95V。動作電流やスタンバイ電流はHN29V128A(3.3V品)と同じ。
第1弾となる4製品は、48ピンのTSOP Type Iパッケージを採用し、×8bit構成の『HN29V128A1AT-50』、×16bit構成の『HN29V128A0AT-50』、×16bit構成の『HN29A128A0AT-80』、および72ピンのCSPパッケージを採用した×16bit構成の『HN29A128A0ABP-80』。価格は10万個時の単価がTSOP-Iが940円、CSPが1000円。
