米Advanced Micro Devices社は現地時間の10日、ゲート長が10nm(ナノメートル)のダブルゲート・トランジスターを製造したと発表した。これはカリフォルニア大学バークレー校との共同研究によるもので、同社のサブミクロン開発センターで製造。現在製造されている最小のトランジスターに比べて約1/6のサイズであるという。
製造したトランジスターは、流すことのできる実効電流が2倍のダブルゲート型で、トランジスターがオフの状態における電流の漏れを抑えるための薄いシリコンの“フィン”を持つ“FinFET(Fin Field Effect Transistor)”構造を採用している。
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