セイコーエプソン(株)と富士通(株)は29日、不揮発性メモリー“FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)”の次世代技術の共同開発を終了したと発表した。
これは、新たな強誘電体“PZT(PbZrTiO:チタン酸ジルコン酸鉛)”膜の形成/加工/評価技術を確立したことによるもので、従来の4倍の“高集積”、従来の3倍以上の書き換え速度を持つ“高性能”、100兆回以上の書き換えが可能な“高信頼”のプロセス技術を開発したという。このプロセス技術は、既存のCMOSロジック工程に強誘電体工程の追加で対応できるため、量産技術の開発にも適しているのが特徴。
開発成果を基に、セイコーエプソンは、自社の低消費電力CMOS技術と組み合わせ、電池駆動/携帯機器等に対応できる混載LSIの開発/製品化を加速するとしており、富士通は、量産技術の開発を進め、低消費電力で高速読み書きの優位性を生かせるセキュリティー市場やFRAM内蔵マイコンによる新たな市場を創造するとしている。
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